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              電動車、新能源領域的需求急增 第三代半導體加速“上車”

              放大字體 縮小字體 發布日期:2022-09-13 10:00:23   來源:新能源汽車網  編輯:全球新能源汽車網  瀏覽次數:194
              核心提示:2022年09月13日關于電動車、新能源領域的需求急增 第三代半導體加速“上車”的最新消息:日本半導體材料大廠昭和電工近日宣布,其碳化硅(SiC)功率半導體的8英寸SiC 外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示,和原先使用硅晶圓的功率半導體相比,SiC功率半導體的電
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                日本半導體材料大廠昭和電工近日宣布,其碳化硅(SiC)功率半導體的8英寸SiC 外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示,和原先使用硅晶圓的功率半導體相比,SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱,來自電動車、再生能源領域的需求急增。

                SiC半導體性能優異,其禁帶寬度是硅的3倍,擊穿電壓是硅的8-10倍,導熱率是硅的3-5倍,電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求,是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出,未來隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質量提高、單晶平均可用厚度持續增加以及擴產導致規模效應增大,SiC產業鏈各環節成本有望持續降低,并實現對于下游領域的加速滲透。

                據財聯社主題庫顯示,相關上市公司中:

                天岳先進在半絕緣SiC襯底的市場占有率連續三年保持全球前三,公司日前與客戶簽訂了預計金額13.93億元的長期協議。

                露笑科技表示,碳化硅襯底片現在已經在連續供貨,目前每個月可供1000片左右,預計到今年年底可以實現5000片/月的供貨能力,在價格方面,預計1-2年內難以下跌,甚至可能上漲。

              文章來源:財聯社
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